طراحی ساختاری از ترانزیستور ماسفت دوگیتی با به کارگیری دو ماده، اکسید هافنیم (hfo۲) و سیلیسیم-ژرمانیوم (sige) در کانالی از جنس سیلیسیم (dm-dg)

در این مقاله ساختار جدیدی از ترانزیستور دوگیتی به نام ترانزیستور dm-dg ارائه شده است. در این ساختار با به کار بردن عایق hfo2 در مرز ناحیه کانال و درین و همین طور استفاده از سیلیسیم-ژرمانیوم در ناحیه سورس منجر به بهبود ساختار در مقایسه با ساختارهای متداول دوگیتی (c-dg) شده است. ناحیه عایق hfo2 به طور قابل توجهی میدان الکتریکی را در ناحیه کانال و درین کاهش می دهد؛ بنابراین فرآیندهای مخرب در ساختار ارائه شده نسبت به ساختار دوگیتی معمولی به دلیل کاهش اثر حامل های داغ (hce) و همین طور اثر کاهش سد پتانسیل به دلیل درین (dibl) پایین تر است. از طرفی برای این که تجمع حفره های اضافی را از سطح کانال دور کرده و باعث کاهش اثر بدنه شناور (fbe) و ترانزیستورهای bjt پارازیتیک در ساختار شویم، از سیلیسیم-ژرمانیوم در ناحیه سورس استفاده می کنیم. نتایج شبیه سازی دوبعدی با نرم افزار شبیه ساز atlas نشان داده شده و به دلیل کوچک بودن طول ناحیه کانال (20 nm) از مدل کوانتومی استفاده شده است.